在液態(tài)金屬研究領(lǐng)域，當大多數(shù)發(fā)達國家還處于發(fā)表論文的早期階段時，我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展已漸成規(guī)模，并形成了“墻內(nèi)開花、墻外張望”的局面。云南企業(yè)于2015年率先建成了國內(nèi)外首條液態(tài)金屬電子手寫筆、電子油墨生產(chǎn)線，以及一系列液態(tài)金屬熱界面材料產(chǎn)品生產(chǎn)線，初步取得了良好的經(jīng)濟效益。如今，首套液態(tài)金屬桌面電子電路打印機生產(chǎn)線也在加緊建設(shè)中，并正著手打造世界上最大的液態(tài)金屬功能材料生產(chǎn)基地和液態(tài)金屬先進制造設(shè)備生產(chǎn)基地。今天擅長分析筆記本液態(tài)金屬科威液態(tài)金屬谷就為大家分享關(guān)于“cpu液態(tài)金屬：液態(tài)金屬散熱好不好”

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作為一項高科技核心技術(shù)，芯片設(shè)計與制造是信息技術(shù)領(lǐng)域“皇冠上的明珠”，其難點主要體現(xiàn)在微納加工技術(shù)上。“制程”是衡量芯片制造技術(shù)的一個重要指標，減小制程有利于縮小晶體管體積和功耗，提高單個芯片晶體管數(shù)量，提升計算效率。目前，市場上主流的高端芯片已經(jīng)采用16 nm，14 nm甚至10 nm技術(shù)。早在2015年，美國IBM公司便已經(jīng)推出了7 nm制程的原型芯片；2017年，IBM宣布已經(jīng)突破了5 nm制程的芯片制造技術(shù)，這使得一個指甲蓋大小的單個芯片上的晶體管數(shù)量可以高達300億個，其計算性能將得到大幅提升。

對小制程的追求源于芯片高度集成化和輕量化發(fā)展的趨勢。早在20世紀60年代，英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾就預(yù)言：“半導(dǎo)體芯片上集成的總晶體管數(shù)量每18個月將增加一倍”，后被稱為“摩爾定律”。然而，近年來，“摩爾定律”的發(fā)展遇到了瓶頸。一方面，大規(guī)模的晶體管集成對制程提出了更高的要求，已經(jīng)瀕臨其技術(shù)極限。另一方面，芯片的高度集成化導(dǎo)致其發(fā)熱問題日益嚴峻。在芯片的工作過程中，幾乎一半的功率會轉(zhuǎn)化為熱量，如果不能將這些熱量及時散出，將導(dǎo)致芯片的溫度持續(xù)升高。當芯片溫度高于一定限值之后，將影響其工作效率、性能、穩(wěn)定性，嚴重時，甚至?xí)l(fā)安全事故。為保證芯片安全高效的工作，一般應(yīng)將其溫度控制在85 ℃以下。

曲靖市委書記李文榮表示：“液態(tài)金屬作為新材料領(lǐng)域的一匹"黑馬"，運用領(lǐng)域廣、發(fā)展前景好，是名副其實的"萬億級產(chǎn)業(yè)航母"”。

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市場上常見熱界面材料主要分為高分子基復(fù)合材料、金屬基熱界面材料及處于前沿探索階段的新型熱界面材料。高分子基復(fù)合材料包括導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱凝膠、導(dǎo)熱膠、導(dǎo)熱墊及導(dǎo)熱相變材料等；金屬基熱界面材料以低熔點焊料、液態(tài)金屬材料等為代表；新型的熱界面材料則以導(dǎo)熱高分子、石墨烯和碳納米管陣列等為代表。

液態(tài)金屬是一種具有非晶態(tài)原子結(jié)構(gòu)的金屬合金，在常溫下呈液態(tài)，可以實現(xiàn)固相和液相之間的靈活轉(zhuǎn)換，具有導(dǎo)電性強、導(dǎo)熱率高、熔點可控等特點，可廣泛運用于航空航天、軍工國防、生物醫(yī)療等領(lǐng)域。它的出現(xiàn)被認為是繼銅、鐵和鋼，以及塑料之后的第三次材料革命，或?qū)⒊蔀槲磥磔p合金材料的顛覆者。近年來，液態(tài)金屬行業(yè)在國家利好政策和市場巨大需求等因素的助力下，逐漸呈現(xiàn)出了良好的發(fā)展態(tài)勢，預(yù)計未來有著巨大的產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間?？仆簯B(tài)金屬谷立足于云南，結(jié)合團隊在液態(tài)金屬新材料及其應(yīng)用技術(shù)方面的領(lǐng)先成果和云南省有色金屬資源優(yōu)勢，打通液態(tài)金屬從材料到下游應(yīng)用完整的產(chǎn)業(yè)鏈，構(gòu)建液態(tài)金屬產(chǎn)業(yè)技術(shù)體系，在云南省打造國際知名的液態(tài)金屬谷產(chǎn)業(yè)集群。

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